1. 靜電放電

    靜電放電被定義為由直接接觸或由靜電場感應引起的不同靜電電位的物體之間的靜電荷轉移。

    通常的 ESD 包括從電容性物品釋放存儲的電荷，最基本形式的電容性物品是人體。其他典型的電荷存儲體包括底盤、衣服、椅子等。大多數(shù) ESD 故障發(fā)生在人類對大約 4000 V 開始的靜電放電的感覺之下。然而，大多數(shù)集成電路和許多分立部件在低于 4000 V 的閾值下發(fā)生故障。除了在極其干燥的大氣條件下，靜電放電的感覺很少發(fā)生。

    典型的敏感性水平：

    2. ESD 和 EOS（電氣過載）：

    ESD 以外的電氣過應力 (EOS) 故障通常持續(xù)時間較長，通常大于 50 毫秒。典型的 EOS 電源為 230 VAC、50 Hz，對直流或交流電位的意外短路超過柵極氧化層擊穿或不同持續(xù)時間的系統(tǒng)瞬變。在這些情況下，加熱的持續(xù)時間通常比典型的 ESD 暴露期間更長，從而導致更廣泛的損壞。通常，EOS 瞬變比 ESD 瞬變持續(xù)時間更長。此外，EOS 引起的故障可能是正向或反向偏置。正向偏置 EOS 通常由高電流的結果損壞證明，例如內部連接的熔化和/汽化。例如，TTL 輸入門暴露于 14V 電壓達 200 毫秒，峰值電流為 500 mA，導致內部連接的高電流熔化。

    ESD 造成的最普遍的結損壞發(fā)生在反向偏置條件下，并由降級的 IV 特性證明。退化可以是從幾乎可以忽略不計的曲線偏移到短路。除了最嚴重的情況外，通過顯微鏡檢查芯片表面，物理損壞是不可見的。

    3. 表面電阻率：

    對于表面，電阻與寬度 W 成比例地減小，并與長度 l 成比例地增大。

    電阻率，R 由下式給出

    R=kl/W

    其中 k 是比例常數(shù)。

    在正方形的情況下，其中 l = W，方程簡化為

    R=k

    從等式可以看出，如果l=W，則l和W的大小無關緊要，因此正方形的大小無關緊要。換句話說，

    rs= 表面電阻率 =k = l = W 時的電阻

    根據(jù)表面電阻率對材料進行分類的術語目前定義如下：

    導電：<= 10 5per square

    靜電耗散：10 5 to 10 9W

    抗靜電：10 9 to 10 14W per square

    絕緣：> 10 14 W per square

    但是，以上僅是指示性的，如有必要，可以根據(jù)個人要求定制限制。

    濕度的影響：

    較高的濕度會根據(jù)材料不同程度地增加材料的水分含量。這種增加的水分含量會降低電阻率。